對(dui)同一靶(ba)丸(wan)(wan)相同位置進行(xing)白光(guang)(guang)(guang)垂直掃描干涉(she)，圖4-3是靶(ba)丸(wan)(wan)的(de)(de)垂直掃描干涉(she)示(shi)意圖，通過(guo)(guo)控制光(guang)(guang)(guang)學(xue)(xue)輪廓儀(yi)的(de)(de)運動機構帶動干涉(she)物(wu)鏡在(zai)垂直方向上的(de)(de)移動，從而(er)測量到(dao)(dao)光(guang)(guang)(guang)線穿(chuan)過(guo)(guo)靶(ba)丸(wan)(wan)后反射到(dao)(dao)參(can)(can)考鏡與到(dao)(dao)達基底(di)直接(jie)反射回參(can)(can)考鏡的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)線之間的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)(cha)，顯然，當(dang)一束平行(xing)光(guang)(guang)(guang)穿(chuan)過(guo)(guo)靶(ba)丸(wan)(wan)后，偏(pian)離(li)靶(ba)丸(wan)(wan)中心(xin)越(yue)遠的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)線，測量到(dao)(dao)的(de)(de)有效(xiao)壁厚(hou)(hou)越(yue)大，其(qi)光(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)(cha)也越(yue)大，但這并不(bu)表示(shi)靶(ba)丸(wan)(wan)殼層的(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)，當(dang)垂直穿(chuan)過(guo)(guo)靶(ba)丸(wan)(wan)中心(xin)的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)線測得的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)(cha)才對(dui)應靶(ba)丸(wan)(wan)的(de)(de)上、下殼層的(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)。白光(guang)(guang)(guang)干涉(she)膜(mo)厚(hou)(hou)測量技術可以應用于材(cai)料科(ke)學(xue)(xue)中的(de)(de)薄膜(mo)微結構分析。順義(yi)區膜(mo)厚(hou)(hou)儀(yi)工廠

薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)作(zuo)為重要元件，通常(chang)使用(yong)(yong)金(jin)屬、合金(jin)、化合物、聚(ju)合物等(deng)(deng)(deng)作(zuo)為其(qi)主要基材(cai)，品(pin)類涵蓋光(guang)學(xue)(xue)膜(mo)(mo)(mo)、電(dian)隔(ge)膜(mo)(mo)(mo)、阻(zu)隔(ge)膜(mo)(mo)(mo)、保(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)、裝(zhuang)飾膜(mo)(mo)(mo)等(deng)(deng)(deng)多種功能(neng)(neng)(neng)性薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)，廣泛應用(yong)(yong)于(yu)現代(dai)光(guang)學(xue)(xue)、電(dian)子(zi)、醫療(liao)、能(neng)(neng)(neng)源、建(jian)(jian)材(cai)等(deng)(deng)(deng)技術領域(yu)。常(chang)用(yong)(yong)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)的(de)厚度范圍(wei)從(cong)納(na)米(mi)(mi)級到(dao)微米(mi)(mi)級不等(deng)(deng)(deng)。納(na)米(mi)(mi)和亞微米(mi)(mi)級薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)主要是基于(yu)干(gan)涉(she)(she)效應調制(zhi)的(de)光(guang)學(xue)(xue)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)，包(bao)(bao)括各(ge)種增透增反膜(mo)(mo)(mo)、偏振(zhen)膜(mo)(mo)(mo)、干(gan)涉(she)(she)濾光(guang)片和分(fen)光(guang)膜(mo)(mo)(mo)等(deng)(deng)(deng)。部(bu)分(fen)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)經(jing)特(te)殊(shu)工藝(yi)處理后還具有(you)(you)耐(nai)高溫、耐(nai)腐蝕、耐(nai)磨損等(deng)(deng)(deng)特(te)性，對通訊、顯(xian)示、存儲等(deng)(deng)(deng)領域(yu)內光(guang)學(xue)(xue)儀(yi)器(qi)的(de)質量(liang)起(qi)決(jue)定性作(zuo)用(yong)(yong)[1-3]，如(ru)平(ping)面顯(xian)示器(qi)使用(yong)(yong)的(de)ITO鍍膜(mo)(mo)(mo)，太陽(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)池(chi)表(biao)面的(de)SiO2減反射膜(mo)(mo)(mo)等(deng)(deng)(deng)。微米(mi)(mi)級以(yi)上的(de)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)以(yi)工農業(ye)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)為主，多使用(yong)(yong)聚(ju)酯材(cai)料，具有(you)(you)易改性、可回收、適用(yong)(yong)范圍(wei)廣等(deng)(deng)(deng)特(te)點。例如(ru)6微米(mi)(mi)厚度以(yi)下(xia)的(de)電(dian)容器(qi)膜(mo)(mo)(mo)，20微米(mi)(mi)厚度以(yi)下(xia)的(de)大部(bu)分(fen)包(bao)(bao)裝(zhuang)印刷用(yong)(yong)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)，25~38微米(mi)(mi)厚的(de)建(jian)(jian)筑玻璃貼膜(mo)(mo)(mo)及(ji)汽車(che)貼膜(mo)(mo)(mo)，以(yi)及(ji)厚度為25~65微米(mi)(mi)的(de)防偽(wei)標牌及(ji)拉線膠帶等(deng)(deng)(deng)。微米(mi)(mi)級薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)利用(yong)(yong)其(qi)良好的(de)延展、密(mi)封(feng)、絕緣特(te)性，遍及(ji)食品(pin)包(bao)(bao)裝(zhuang)、表(biao)面保(bao)護(hu)、磁帶基材(cai)、感光(guang)儲能(neng)(neng)(neng)等(deng)(deng)(deng)應用(yong)(yong)市場，加(jia)工速度快，市場占比高。濰坊膜(mo)(mo)(mo)厚儀(yi)生產廠家(jia)哪家(jia)好白光(guang)干(gan)涉(she)(she)膜(mo)(mo)(mo)厚測量(liang)技術可以(yi)實現對不同材(cai)料的(de)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)進(jin)行測量(liang)。

光譜擬合法(fa)易于(yu)測(ce)量具有應用(yong)(yong)(yong)領(ling)域，由于(yu)使用(yong)(yong)(yong)了迭代算(suan)(suan)(suan)法(fa)，因此(ci)該(gai)方法(fa)的(de)(de)優缺點在很大程度(du)上取(qu)決于(yu)所選擇的(de)(de)算(suan)(suan)(suan)法(fa)。隨著各種全局優化算(suan)(suan)(suan)法(fa)的(de)(de)引(yin)入，遺(yi)傳算(suan)(suan)(suan)法(fa)和(he)模擬退火算(suan)(suan)(suan)法(fa)等新算(suan)(suan)(suan)法(fa)被用(yong)(yong)(yong)于(yu)薄膜(mo)(mo)參數(shu)(shu)的(de)(de)測(ce)量。其缺點是不夠(gou)實(shi)用(yong)(yong)(yong)，該(gai)方法(fa)需要(yao)一個較好(hao)的(de)(de)薄膜(mo)(mo)的(de)(de)光學模型(xing)(包括色散系(xi)數(shu)(shu)、吸收系(xi)數(shu)(shu)、多(duo)層膜(mo)(mo)系(xi)統)，但是在實(shi)際測(ce)試過(guo)程中，薄膜(mo)(mo)的(de)(de)色散和(he)吸收的(de)(de)公(gong)(gong)式通(tong)常不準(zhun)確，尤其是對于(yu)多(duo)層膜(mo)(mo)體系(xi)，建立(li)光學模型(xing)非常困(kun)難，無法(fa)用(yong)(yong)(yong)公(gong)(gong)式準(zhun)確地表示出(chu)來。在實(shi)際應用(yong)(yong)(yong)中只(zhi)能(neng)(neng)使用(yong)(yong)(yong)簡化模型(xing)，因此(ci)，通(tong)常全光譜擬合法(fa)不如極(ji)值法(fa)有效。另外該(gai)方法(fa)的(de)(de)計算(suan)(suan)(suan)速度(du)慢也不能(neng)(neng)滿足快速計算(suan)(suan)(suan)的(de)(de)要(yao)求。

基(ji)于白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)單峰(feng)值(zhi)(zhi)波(bo)(bo)長移(yi)動(dong)的(de)(de)鍺(zang)膜(mo)(mo)(mo)厚(hou)(hou)度(du)測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)方(fang)(fang)案(an)(an)研究：在(zai)對比研究目前(qian)常(chang)用(yong)的(de)(de)白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)方(fang)(fang)案(an)(an)的(de)(de)基(ji)礎上(shang)，我(wo)們發(fa)現(xian)(xian)當兩干(gan)(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)束的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)非常(chang)小(xiao)導致(zhi)其(qi)干(gan)(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)只有一(yi)個干(gan)(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)峰(feng)時，常(chang)用(yong)的(de)(de)基(ji)于兩相鄰干(gan)(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)峰(feng)間(jian)距(ju)的(de)(de)解(jie)調方(fang)(fang)案(an)(an)不(bu)再(zai)適用(yong)。為此(ci)，我(wo)們提出了適用(yong)于極(ji)小(xiao)光(guang)(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)的(de)(de)基(ji)于干(gan)(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)單峰(feng)值(zhi)(zhi)波(bo)(bo)長移(yi)動(dong)的(de)(de)測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)方(fang)(fang)案(an)(an)。干(gan)(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)的(de)(de)峰(feng)值(zhi)(zhi)波(bo)(bo)長會(hui)隨著(zhu)光(guang)(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)的(de)(de)增(zeng)大(da)出現(xian)(xian)周期性的(de)(de)紅移(yi)和藍移(yi)，當光(guang)(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)在(zai)較小(xiao)范圍內變化時，峰(feng)值(zhi)(zhi)波(bo)(bo)長的(de)(de)移(yi)動(dong)與(yu)(yu)光(guang)(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)成正比。根據這一(yi)原理，搭建(jian)了光(guang)(guang)(guang)(guang)纖白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)溫度(du)傳(chuan)感(gan)系統對這一(yi)測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)解(jie)調方(fang)(fang)案(an)(an)進行驗證(zheng)，得到(dao)了光(guang)(guang)(guang)(guang)纖端面半導體鍺(zang)薄膜(mo)(mo)(mo)的(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)。實驗結果(guo)(guo)顯(xian)示鍺(zang)膜(mo)(mo)(mo)的(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)為，與(yu)(yu)臺(tai)階(jie)儀測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)結果(guo)(guo)存在(zai)，這是因為薄膜(mo)(mo)(mo)表面本(ben)身并不(bu)光(guang)(guang)(guang)(guang)滑，臺(tai)階(jie)儀的(de)(de)測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)結果(guo)(guo)只能作為參考值(zhi)(zhi)。鍺(zang)膜(mo)(mo)(mo)厚(hou)(hou)度(du)測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)誤(wu)(wu)差(cha)主要來自光(guang)(guang)(guang)(guang)源的(de)(de)波(bo)(bo)長漂移(yi)和溫度(du)控制誤(wu)(wu)差(cha)。白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)膜(mo)(mo)(mo)厚(hou)(hou)測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)技術可以應用(yong)于電子(zi)顯(xian)示器中的(de)(de)薄膜(mo)(mo)(mo)厚(hou)(hou)度(du)測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)。

白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)干(gan)涉(she)(she)(she)(she)(she)(she)(she)的(de)(de)分(fen)析方法(fa)利(li)用白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)干(gan)涉(she)(she)(she)(she)(she)(she)(she)感知空(kong)間位(wei)(wei)(wei)置(zhi)的(de)(de)變化，從而(er)得(de)到(dao)被測(ce)物體的(de)(de)信(xin)(xin)息(xi)。它(ta)是(shi)在(zai)單色光(guang)(guang)(guang)(guang)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)移干(gan)涉(she)(she)(she)(she)(she)(she)(she)術(shu)的(de)(de)基礎上發展而(er)來(lai)(lai)的(de)(de)。單色光(guang)(guang)(guang)(guang)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)移干(gan)涉(she)(she)(she)(she)(she)(she)(she)術(shu)利(li)用光(guang)(guang)(guang)(guang)路使參考光(guang)(guang)(guang)(guang)和被測(ce)表面(mian)的(de)(de)反射光(guang)(guang)(guang)(guang)發生干(gan)涉(she)(she)(she)(she)(she)(she)(she)，再(zai)使用相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)移的(de)(de)方法(fa)調制相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)位(wei)(wei)(wei)，利(li)用干(gan)涉(she)(she)(she)(she)(she)(she)(she)場(chang)中光(guang)(guang)(guang)(guang)強的(de)(de)變化計(ji)(ji)算(suan)出(chu)其(qi)(qi)每個數據點(dian)的(de)(de)初始相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)位(wei)(wei)(wei)，但(dan)是(shi)這(zhe)(zhe)樣得(de)到(dao)的(de)(de)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)位(wei)(wei)(wei)是(shi)位(wei)(wei)(wei)于(yu)（-π，+π]間，所以(yi)得(de)到(dao)的(de)(de)是(shi)不連(lian)續的(de)(de)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)位(wei)(wei)(wei)。因此(ci)，需(xu)要進行相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)位(wei)(wei)(wei)展開(kai)使其(qi)(qi)變為連(lian)續相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)位(wei)(wei)(wei)。再(zai)利(li)用高度(du)與相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)位(wei)(wei)(wei)的(de)(de)信(xin)(xin)息(xi)求出(chu)被測(ce)物體的(de)(de)表面(mian)形(xing)貌。單色光(guang)(guang)(guang)(guang)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)移法(fa)具有測(ce)量(liang)速(su)度(du)快、測(ce)量(liang)分(fen)辨力高、對(dui)背景光(guang)(guang)(guang)(guang)強不敏(min)感等(deng)優點(dian)。但(dan)是(shi)，由于(yu)單色光(guang)(guang)(guang)(guang)干(gan)涉(she)(she)(she)(she)(she)(she)(she)無法(fa)確(que)定干(gan)涉(she)(she)(she)(she)(she)(she)(she)條紋的(de)(de)零級位(wei)(wei)(wei)置(zhi)。因此(ci)，在(zai)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)位(wei)(wei)(wei)解包裹中無法(fa)得(de)到(dao)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)位(wei)(wei)(wei)差(cha)的(de)(de)周期數，所以(yi)只(zhi)能假定相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)位(wei)(wei)(wei)差(cha)不超過(guo)一個周期，相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)當于(yu)測(ce)試表面(mian)的(de)(de)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)鄰高度(du)不能超過(guo)四分(fen)之一波長[27]。這(zhe)(zhe)就限制了其(qi)(qi)測(ce)量(liang)的(de)(de)范圍，使它(ta)只(zhi)能測(ce)試連(lian)續結(jie)構(gou)或(huo)者光(guang)(guang)(guang)(guang)滑(hua)表面(mian)結(jie)構(gou)。該技術(shu)可以(yi)通過(guo)測(ce)量(liang)干(gan)涉(she)(she)(she)(she)(she)(she)(she)曲線(xian)來(lai)(lai)計(ji)(ji)算(suan)薄(bo)膜的(de)(de)厚(hou)度(du)。山西膜厚(hou)儀制造(zao)廠家

白(bai)光干涉膜厚測量技術可以(yi)在(zai)不同環(huan)境(jing)下進行(xing)測量。順義區膜厚儀工(gong)廠

在(zai)激(ji)光(guang)慣(guan)性約束(shu)核聚(ju)變(bian)實(shi)(shi)(shi)驗(yan)中，靶丸(wan)的(de)物性參數(shu)和幾何參數(shu)是(shi)靶丸(wan)制備工藝改進(jin)(jin)和仿真模擬核聚(ju)變(bian)實(shi)(shi)(shi)驗(yan)過程(cheng)的(de)基礎，因此如何對(dui)靶丸(wan)多(duo)個參數(shu)進(jin)(jin)行同(tong)步(bu)、高(gao)精度(du)、無(wu)損的(de)綜(zong)合檢測是(shi)激(ji)光(guang)慣(guan)性約束(shu)核聚(ju)變(bian)實(shi)(shi)(shi)驗(yan)中的(de)關鍵問題。以(yi)上各(ge)種薄(bo)(bo)膜厚(hou)度(du)及折射(she)率的(de)測量(liang)方法各(ge)有利弊，但(dan)針對(dui)本文實(shi)(shi)(shi)驗(yan)，仍(reng)然(ran)無(wu)法滿足激(ji)光(guang)核聚(ju)變(bian)技術(shu)對(dui)靶丸(wan)參數(shu)測量(liang)的(de)高(gao)要求，靶丸(wan)參數(shu)測量(liang)存在(zai)以(yi)下問題：不(bu)(bu)能對(dui)靶丸(wan)進(jin)(jin)行破壞性切割(ge)測量(liang)，否則，被(bei)破壞后的(de)靶丸(wan)無(wu)法用(yong)于于下一步(bu)工藝處理或者打靶實(shi)(shi)(shi)驗(yan)；需要同(tong)時(shi)測得靶丸(wan)的(de)多(duo)個參數(shu)，不(bu)(bu)同(tong)參數(shu)的(de)單獨測量(liang)，無(wu)法提供靶丸(wan)制備和核聚(ju)變(bian)反應過程(cheng)中發生(sheng)的(de)結(jie)(jie)構(gou)(gou)變(bian)化現象和規律，并且效率低(di)下、沒有統一的(de)測量(liang)標準。靶丸(wan)屬于自支(zhi)撐(cheng)球形(xing)薄(bo)(bo)膜結(jie)(jie)構(gou)(gou)，曲面應力大、難展平(ping)的(de)特點導致(zhi)靶丸(wan)與基底不(bu)(bu)能完全貼合，在(zai)微區(qu)內可看作類薄(bo)(bo)膜結(jie)(jie)構(gou)(gou)順義區(qu)膜厚(hou)儀工廠

本文來自(zi)沈陽喜(xi)納多采暖工(gong)程有限公司：//txyy.net.cn/Article/25e399812.html